硅是生產太陽能電池片的主要原材料，但是晶體硅質地非常脆，很容易破裂，而太陽能電池片生產工藝復雜，在生產過程及各個工序的互相傳送中，極易產生破裂或隱裂。隨著硅錠切割工藝的優(yōu)化升級，硅片將越來越薄，其對于內部探傷的需求也將更為迫切。
太陽能生產工藝中，第一道成品就是硅錠。硅錠經線鋸切割后形成太陽能硅片，而由于硅錠本身雜質和氣泡等影響，造成產品質量差，并影響設備壽命。通過紅外相機系統(tǒng)對太陽能硅錠進行質量檢測，可以提前避免以上狀況的發(fā)生，是非常有價值的機器視覺檢測應用。在這個應用中系統(tǒng)價值體現(xiàn)在：
1) 提升硅錠產品的質量。硅錠中含有雜質、氣泡，會對最終的硅片產品質量產生影響。因為紅外光對硅的穿透性比較好，波長為1050 nm的紅外光可以穿透200 μm厚的硅錠，而波長為1300~1500 nm的紅外光則
可以穿透任意厚度的硅錠。因此我們可以利用紅外光進行探傷，檢測出硅錠中的孔洞和雜質，并通過各種工藝預處理，來達到提升硅錠產品質量的目的。
2) 減少對線鋸的損耗，降低成本。線鋸的價格一般都非常昂貴，在加工中，若硅錠中有孔洞的存在，會使線鋸的應力突變，引起線鋸的振動，加劇線鋸的損耗，甚至會造成線鋸的損毀；若硅錠中有雜質，也會使線鋸的損耗加大。因此通過引入紅外探傷，我們可以降低線鋸的損耗，進而達到降低成本的目的。
3) 提升硅片的產品質量。在把硅錠切割為硅片的過程中，若硅錠中有雜質，則切割出來的硅片會產生線痕，這樣的硅片是比較容易碎裂的。此外硅錠中的雜質容易附著在切割器械上，若用這樣的切割器械進行加工，會造成更多硅片的線痕，嚴重降低產品的質量，而且使生產成本大幅度地提高。
1) 提升硅錠產品的質量。硅錠中含有雜質、氣泡，會對最終的硅片產品質量產生影響。因為紅外光對硅的穿透性比較好，波長為1050 nm的紅外光可以穿透200 μm厚的硅錠，而波長為1300~1500 nm的紅外光則
可以穿透任意厚度的硅錠。因此我們可以利用紅外光進行探傷，檢測出硅錠中的孔洞和雜質，并通過各種工藝預處理，來達到提升硅錠產品質量的目的。
2) 減少對線鋸的損耗，降低成本。線鋸的價格一般都非常昂貴，在加工中，若硅錠中有孔洞的存在，會使線鋸的應力突變，引起線鋸的振動，加劇線鋸的損耗，甚至會造成線鋸的損毀；若硅錠中有雜質，也會使線鋸的損耗加大。因此通過引入紅外探傷，我們可以降低線鋸的損耗，進而達到降低成本的目的。
3) 提升硅片的產品質量。在把硅錠切割為硅片的過程中，若硅錠中有雜質，則切割出來的硅片會產生線痕，這樣的硅片是比較容易碎裂的。此外硅錠中的雜質容易附著在切割器械上，若用這樣的切割器械進行加工，會造成更多硅片的線痕，嚴重降低產品的質量，而且使生產成本大幅度地提高。
